一種制造薄膜電化學裝置的方法可包括以下步驟：在基板上沉積膜堆疊結(jié)構(gòu)，所述膜堆疊結(jié)構(gòu)包括陰極集電體(CCC)、陰極、電解質(zhì)、陽極及陽極集電體(ACC)；對堆疊結(jié)構(gòu)進行激光裸片圖案化以形成已裸片圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)；對已裸片圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)進行激光圖案化以暴露出已裸片圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)中的每一個已裸片圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)的CCC層及ACC層中的至少一個的接觸區(qū)域，對已裸片圖案化的堆疊結(jié)構(gòu)進行激光圖案化的步驟形成裝置堆疊結(jié)構(gòu)；在元件堆疊結(jié)構(gòu)上沉積毯覆式封裝層；對毯覆式封裝層進行激光圖案化以暴露出裝置堆疊結(jié)構(gòu)中每一個裝置堆疊結(jié)構(gòu)的ACC層及CCC層的接觸區(qū)域，毯覆式封裝層的激光圖案化步驟形成已封裝的裝置堆疊結(jié)構(gòu)；及通過對裝置堆疊結(jié)構(gòu)及已封裝的裝置堆疊結(jié)構(gòu)中的一個或多個進行熱像分析以識別熱點。