根據(jù)預先設定好的初始設定開始利用熱化學反應的半導體裝置的制造工藝,測定參與熱化學反應的氣氛的狀態(tài)量,根據(jù)由該測定所獲得的測定數(shù)據(jù),解析氣氛的狀態(tài)及其變化,把由該解析得到的解析數(shù)據(jù)反饋給制造工藝。
聲明:
“半導體裝置的制造方法、半導體裝置的制造裝置及其控制方法和控制裝置,以及半導體裝置的制造工藝的模擬方法和模擬裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)