一種半導(dǎo)體制造裝置，其包括：處理室，其用期望的化學(xué)液來(lái)處理晶片的被處理膜；膜厚度測(cè)量單元，其測(cè)量處理前的被處理膜的初始膜厚度和處理后的被處理膜的最終膜厚度；以及主體控制單元，其由初始膜厚度、最終膜厚度以及從初始膜厚度直到最終膜厚度所占用的化學(xué)液處理時(shí)間以計(jì)算出化學(xué)液的處理速度，以便由算出的處理速度計(jì)算出下一個(gè)待處理的晶片的化學(xué)液處理時(shí)間。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，不管形成于基板上的被處理膜的初始膜厚度因每個(gè)基板而如何有差異，每個(gè)基板上的被處理膜的殘余膜都可一致。