本發(fā)明公開了一種CdS/MoS2/Mo雙層核殼結(jié)構(gòu)光電極的制備方法，步驟如下：以鉬網(wǎng)作為基底，以可溶性鎘鹽作為鎘源，將金屬鎘沉積在鉬網(wǎng)上，將沉積好的鉬網(wǎng)置于硫化氫氣氛中進行硫化，即得到CdS/MoS2/Mo雙層核殼結(jié)構(gòu)光電極。本發(fā)明制備的CdS/MoS2/Mo雙層核殼結(jié)構(gòu)光電極的光電轉(zhuǎn)化效率高，有較大的應(yīng)用前景。經(jīng)實驗研究發(fā)現(xiàn)CdS/MoS2/Mo雙層核殼結(jié)構(gòu)光電極光電化學(xué)產(chǎn)氫性能，在光電化學(xué)測試中光電流超過三毫安，在主要吸光區(qū)域光電轉(zhuǎn)化效率接近20％，性能優(yōu)于傳統(tǒng)FTO玻璃上制備的硫化鎘電極。