一種曝光設備和方法,可優(yōu)化光致抗蝕劑膜的曝光,而與光致抗蝕劑膜因曝光而發(fā)生的化學反應無關(guān)。利用第1光致抗蝕劑膜和第1半導體片測量最佳曝光,并將獲得的數(shù)據(jù)存到存儲器中,然后用相同的曝光對第2半導體片上的第2光致抗蝕劑膜曝光,測量開始曝光時由第2光致抗蝕劑膜和第2半導體片的反射光強。讀出存儲的第1光致抗蝕劑膜和第1半導體片的最佳曝光時間數(shù)據(jù),將它用作第2光致抗蝕劑膜和第2半導體片的最佳曝光時間。