本發(fā)明屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種碲化鉛納米線薄膜及其制備方法與應(yīng)用。該碲化鉛納米線薄膜采用無模板電化學(xué)原子層沉積法進(jìn)行制備，具體包括以下步驟：以氫氧化鈉溶液為溶劑，配制二氧化碲溶液和硝酸鉛溶液；采用磁控濺射設(shè)備于二氧化硅片上鍍金，制得金襯底；將二氧化碲溶液和硝酸鉛溶液以體積比2:3分別倒入電解池匯總，采用電化學(xué)工作站和三電極體系在金襯底上進(jìn)行恒電位沉積實驗，鉛原子和碲原子逐層生長，制得單晶碲化鉛納米線薄膜。該方法操作簡單，無需大型設(shè)備，在制備碲化鉛納米線時無需采用模板，節(jié)約了模板成本，并且利用該方法制備的碲化鉛納米線制作光電探測器，該光電探測器具有較高的響應(yīng)度，探測率及響應(yīng)速度。