本發(fā)明提供一種無機中紅外非線性光學(xué)晶體材料,其化學(xué)式為Rb2CdBr2I2,上述材料的晶體空間群為Ama2,晶胞參數(shù)為a=11.764(8)?, b=12.025(8)?, c=8.446(6)?, α=β=γ=90°, Z=4。本發(fā)明還提供了上述晶體材料的制備方法,本發(fā)明制得的晶體材料具有以下特點:1.具有較強的能相位匹配的倍頻效應(yīng)(SHG),Kurtz粉末倍頻測試結(jié)果表明其粉末倍頻效應(yīng)為磷酸二氫鉀(KDP)的4倍;2.激光損傷閾值達到190MW/cm2, 是目前的商用的中紅外非線性光學(xué)晶體材AgGaS2的激光損傷閾值的6倍。3.化合物在可見光區(qū)和中紅外光區(qū)有很寬的透過范圍,完全透過波段為0.4-14微米;4.不含結(jié)晶水,對空氣穩(wěn)定,且熱穩(wěn)定性較好;5.可利用簡單的溶劑揮發(fā)法制備單晶材料。
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“中紅外非線性光學(xué)晶體材料Rb2CdBr2I2及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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