本發(fā)明公開了一種具有垂直柵結(jié)構(gòu)的SOI?CMOS器件的制作方法,該方法為:由下至上依次生長(zhǎng)硅襯底層,埋層氧化層,單晶硅頂層;采用STI工藝在單晶硅頂層位置處形成的有源區(qū)進(jìn)行氧化物隔離;有源區(qū)包括NMOS區(qū)和PMOS區(qū);在NMOS區(qū)和PMOS區(qū)中間刻蝕一個(gè)窗口,利用熱氧化的方法在窗口內(nèi)側(cè)壁形成NMOS和PMOS柵氧化層;在窗口處淀積多晶硅,填滿,摻雜,然后通過化學(xué)機(jī)械拋光形成垂直柵區(qū);在NMOS和PMOS溝道采用多次離子注入的方式摻雜再快速退火,源漏區(qū)則采用離子注入方式重?fù)诫s。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單,制作出的器件占用面積小版圖層數(shù)少,能夠完全避免浮體效應(yīng),方便對(duì)寄生電阻電容的測(cè)試。