本公開案提供通過在金屬與半導(dǎo)體之間的界面插入V族或III族原子單層，或插入各自由單層形成的雙層，或插入多個(gè)所述雙層，減少金屬-半導(dǎo)體(IV族)結(jié)的比接觸電阻的技術(shù)。所得的低比電阻金屬-IV族半導(dǎo)體結(jié)應(yīng)用為半導(dǎo)體設(shè)備中的低電阻電極，所述半導(dǎo)體設(shè)備包括電子設(shè)備(例如晶體管、二極管等)和光電設(shè)備(例如激光器、太陽能電池、光電探測器等)，及/或應(yīng)用為場效應(yīng)晶體管(field?effect?transistor；FET)中的金屬源區(qū)及/或金屬漏區(qū)(或者所述金屬源區(qū)及/或金屬漏區(qū)的一部分)。III族原子單層和V族原子單層主要為有序的原子層，所述原子層形成于IV族半導(dǎo)體的表面并與IV族半導(dǎo)體的表面原子化學(xué)結(jié)合。