本發(fā)明公開一種五氧化二釩原位包覆NCM111三元正極材料的制備方法，該方法用V2O5對NCM111材料(V2O5占NCM111材料的質(zhì)量百分比為1％)進(jìn)行包覆，從而制備得到顆粒尺寸均勻，顆粒間更為緊密，顆粒更大，形貌結(jié)構(gòu)良好，電化學(xué)性能優(yōu)越的NCM111三元正極材料。包覆后的材料的循環(huán)性能，倍率性能，阻抗以及充放電測試中均得到優(yōu)化，包覆后的材料呈現(xiàn)出極佳的電化學(xué)性能，首次放電量達(dá)到201.516mAh/g(0.5C倍率下)，容量保持率高，具備最佳的循環(huán)穩(wěn)定性與倍率性能，充分展現(xiàn)出優(yōu)越的電化學(xué)性能。