本發(fā)明公開(kāi)了一種改進(jìn)的可控硅結(jié)構(gòu)，包括臺(tái)面槽、穿通環(huán)、長(zhǎng)基區(qū)、正面短基區(qū)、背面短基區(qū)、陰極區(qū)和門(mén)極區(qū)，其特征在于：陰極區(qū)和門(mén)極區(qū)之間開(kāi)有陰極門(mén)極間槽，陰極門(mén)極間槽內(nèi)填充有玻璃粉。生產(chǎn)上述可控硅結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)工藝，包括雙面拋光片步驟、氧化步驟、光刻穿通、穿通擴(kuò)散、短基區(qū)擴(kuò)散、光刻陰極、陰極擴(kuò)散、光刻臺(tái)面槽、化學(xué)腐蝕臺(tái)面槽、光刻引線孔、正面蒸鋁、鋁反刻、鋁合金、背面噴砂、背面金屬化、芯片測(cè)試、劃片包裝步驟，在化學(xué)腐蝕臺(tái)面槽和光刻引線步驟之間增加了光刻陰極門(mén)極間槽步驟、化學(xué)腐蝕陰極門(mén)極間槽步驟和玻璃鈍化步驟。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是：耐壓高，漏電低，也不存在反型條件和表面燒毀現(xiàn)象，大大提高了可控硅的可靠性。