本發(fā)明具體涉及一種碳布原位生長中空三維Co9S8/Ni?Co?Mo羥基氧化物核殼電極材料的制備方法，中空Co9S8納米管有利于電解質(zhì)滲透，并且硫化鈷具有高導(dǎo)電性，同時使材料的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性提高，外延生長Ni?Co?Mo羥基氧化物納米片具有較高的比電容，形成的中空三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)為電子和離子傳輸和滲透提供通道和更多活性位點，從而提高電化學(xué)性能，電化學(xué)性能測試結(jié)果表明，在電流密度為3 mA cm?1時，單電極比容量達(dá)到6.2 F·cm?2。