本發(fā)明公開(kāi)了一種摻鈰及摻鉺的硅酸鐿閃爍晶體及其制備方法，在該方法中，我們采用基于提拉法的制備方法生長(zhǎng)出化學(xué)式為Cex:Er2y:Yb2(1?y)Si(1?x)O5的摻鈰及摻鉺的硅酸鐿閃爍晶體，其中0.0025≤x≤0.01,0.04≤y≤0.6,與傳統(tǒng)的硅酸鹽閃爍晶體相比，摻鈰及摻鉺的硅酸鐿閃爍晶體光產(chǎn)額更大，熒光衰減時(shí)間短，對(duì)γ射線具有更好的探測(cè)效率，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、不潮解、機(jī)械強(qiáng)度好，同時(shí)鐿價(jià)格是镥價(jià)格的2％，但原子序數(shù)只少1，有望獲得性能與LSO相近的閃爍晶體，而價(jià)格低一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。