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(InxGa1-x)2O3寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備方法及其應(yīng)用

1025   編輯:管理員   來源:中冶有色網(wǎng)  
2023-03-19 08:23:03
本發(fā)明涉及一種(InxGa1?x)2O3寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備方法及其應(yīng)用,包括以下步驟:步驟1、氧化鎵、氧化銦和碳粉混合粉末的制備;步驟2、通過化學(xué)氣相沉積法(CVD)實(shí)現(xiàn)(InxGa1?x)2O3寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備(0
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聲明:
“(InxGa1-x)2O3寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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