本發(fā)明提供一種LED芯片Sputter?ITO腐蝕工藝，包括以下步驟：(1)選取外延片，清洗后進(jìn)行P?SiO2層的沉積，再進(jìn)行黃光P?SiO2制程，光刻出所需圖形；(2)通過浸泡BOE溶液化學(xué)濕法腐蝕SiO2，去除光刻膠，再進(jìn)行酸洗、甩干；(3)進(jìn)行Sputter?ITO濺鍍，然后進(jìn)行黃光光刻所需圖形；(4)化學(xué)濕法蝕刻后，清洗完成后甩干，進(jìn)行ICP刻蝕，去除光刻膠后清洗、甩干；(5)再進(jìn)行RTA高溫退火熔合；(6)然后進(jìn)行鈍化SiO2層的沉積、PN黃光光刻，金屬蒸鍍后去除光刻膠，再金屬熔合，最后完成點(diǎn)測。本發(fā)明將取消Sputter?ITO過腐蝕，在ITO膜濺鍍完成后先經(jīng)過黃光光刻，再固定ITO的腐蝕時(shí)間，這樣就避免了由于ITO膜過腐蝕所造成的腐蝕過現(xiàn)象。