本發(fā)明公開了一類打斷共軛型聚合物半導(dǎo)體材料及其制備方法和應(yīng)用,該半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)以環(huán)戊并二噻吩為骨架,具有選自通式(Ⅰ)、通式(Ⅱ)或通式(Ⅲ)的化學(xué)式的結(jié)構(gòu):制備方法:先通過環(huán)戊并二噻吩酮或者其衍生物與格氏試劑反應(yīng)制備叔醇,然后在室溫下,通過叔醇的傅克均聚反應(yīng),合成打斷共軛型聚合物。本發(fā)明提供的聚合物材料有很寬的紫外吸收峰、窄的能帶結(jié)構(gòu)和電化學(xué)穩(wěn)定性良好并可以捕獲電子等性能特點(diǎn),在有機(jī)電存儲(chǔ)、太陽能電池和近紅外探測領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。且該材料的制備方法具有操作簡單、反應(yīng)條件溫和、產(chǎn)率高等特點(diǎn),易于工業(yè)應(yīng)用。
聲明:
“打斷共軛型聚合物半導(dǎo)體材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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