本發(fā)明涉及氧化亞銅電沉積在氧化鈦納米片陣列薄膜上的復(fù)合材料的制備方法。該方法包括：將乙酸銅、去離子水置于反應(yīng)容器中攪拌，再向反應(yīng)容器中加入乙酸鈉，并將反應(yīng)容器移至水浴中繼續(xù)攪拌得到電解質(zhì)溶液；將氧化鈦納米片陣列薄膜作為電沉積過程中的工作電極，在所得電解質(zhì)溶液中進(jìn)行電沉積過程得到Cu2O/TiO2納米片陣列薄膜復(fù)合材料。通過本發(fā)明方法氧化亞銅被成功沉積在氧化鈦納米片陣列薄膜的表面，得到Cu2O/TiO2納米片陣列薄膜復(fù)合材料，該材料經(jīng)測(cè)試光電流是未沉積氧化亞銅樣品的7.1倍，具有很高的光電化學(xué)增強(qiáng)效應(yīng)，在太陽能電池、環(huán)境催化凈化、光電化學(xué)能儲(chǔ)方面具有潛在應(yīng)用價(jià)值。