本發(fā)明提供了PVK?TMDCs范德華異質結及其制備方法，屬于光電材料技術領域。本發(fā)明采用化學氣相沉積法在基底上制備過渡金屬硫族化合物薄膜；采用物理氣相沉積法在所述過渡金屬硫族化合物薄膜表面制備鈣鈦礦薄膜，得到PVK?TMDCs范德華異質結。本發(fā)明采用化學氣相沉積法在基底上制備過渡金屬硫族化合物薄膜，得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜，然后采用物理氣相沉積法在過渡金屬硫族化合物薄膜表面制備鈣鈦礦薄膜，過渡金屬硫族化合物薄膜可以對鈣鈦礦薄膜生長的結構和能級起到調控作用，防止異質結界面中出現(xiàn)雜質，提高光電材料的光電探測性能。