本發(fā)明公開了一種超電容用金屬離子摻雜花狀MnO2納米片及其制備方法，采用化學(xué)沉淀的方法通過摻雜金屬離子引導(dǎo)制備納米片自組裝花狀的MnO2，其片層厚度為3～5nm；制備過程為：將濃度比為1：1的硫酸錳和過硫酸銨混合水溶液置于超聲恒溫水浴環(huán)境中，同時向混合溶液中勻速滴加濃度為0.001～0.2mol/L的金屬鹽溶液，隨后繼續(xù)反應(yīng)0.5～3h。該方法制備流程簡單、成本低廉，獲得納米片層自組裝而成的花狀形貌顯著增大電極材料比表面積，同時有利于電解質(zhì)離子在電極材料體相中的擴(kuò)散，使其具有優(yōu)異的電化學(xué)性能。掃描速率50mV/s時，測得比電容值可達(dá)303.6F/g，阻抗為4.2Ω。