本發(fā)明涉及一種納米光電器件的制備方法，具體是指一種基于膠體化學(xué)合成硫化鎘納米棒的納米光電器件的制備方法。本發(fā)明是通過微納米加工技術(shù)，在具有200nmSiO2層的單晶硅(Si)襯底上制備出具有納米間隙的Au電極，然后采用介電電泳(DEP)的方法，室溫下于電極之間組裝CdS納米棒，納米光電器的光電性能測試結(jié)果顯示該器件具有很好的光電響應(yīng)。本發(fā)明的優(yōu)點是：膠體化學(xué)法裝置簡單，并可以規(guī)?；a(chǎn)，制備的納米棒性能穩(wěn)定；由于只用幾個納米棒來構(gòu)建器件，器件反應(yīng)靈敏；另外，該制備工藝具有可控性強，操作簡單，普適性好等特點，具有很大的應(yīng)用前景。