一種實(shí)現(xiàn)交換偏置效應(yīng)的二維異質(zhì)結(jié)器件的制備方法，首先切割硅襯底在上面制備金屬電極，然后制備二維材料Fe3GeTe2、CrPS4和hBN納米級(jí)厚度薄片；篩選出厚度均勻的Fe3GeTe2、CrPS4和hBN納米級(jí)厚度薄片，依次將Fe3GeTe2、CrPS4和hBN轉(zhuǎn)移至帶有金屬電極的硅襯底上。本方法通過(guò)堆疊二維鐵磁層Fe3GeTe2和二維反鐵磁層CrPS4制備出的異質(zhì)結(jié)器件，可以實(shí)現(xiàn)能夠在同一Fe3GeTe2上既測(cè)得異質(zhì)結(jié)低溫下的交換偏置效應(yīng)，又能夠?qū)Ρ菊鳂悠窋?shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比；解決了當(dāng)下異質(zhì)結(jié)器件制備成功率低、界面不干凈以及測(cè)試效率低的問(wèn)題；本發(fā)明在手套箱中制備并采用先做金屬電極的方式，最大程度地減少器件接觸化學(xué)藥品和空氣，從而減少氧化和污染，解決了傳統(tǒng)工藝流程中會(huì)污染異質(zhì)結(jié)樣品導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不理想的問(wèn)題。