本發(fā)明公開(kāi)了一種多晶硅SOI基板型光電耦合器，包括作為襯底硅的第一襯底、作為SiO2中間層的第一介質(zhì)層和頂層多晶硅，頂層多晶硅通過(guò)低壓力化學(xué)氣相沉積法淀積在第一襯底上；光電耦合器包括制作在第一襯底中的硅光探測(cè)器、第一介質(zhì)層以及制作在頂層多晶硅中的多晶硅光源。本發(fā)明還公開(kāi)了上述光電耦合器的制作方法，并進(jìn)一步公開(kāi)了上述光電耦合器的集成電路及其制作方法。本發(fā)明的多晶硅光源與硅光探測(cè)器軸向排布，面積小、制造成本低，具有較高的光傳輸效率和集成度；本發(fā)明的光電耦合器可以與電路集成在同一個(gè)襯底上，多晶硅光源與硅光探測(cè)器軸向堆疊，進(jìn)一步降低了制造成本，具有較高的集成度。本發(fā)明適用于光電耦合器的集成技術(shù)領(lǐng)域。