本發(fā)明公開了一種電場傳感器探頭的制作工藝，其技術(shù)方案要點是，具體包括以下步驟：S1、切片：切片時選擇電場方向平行于鈮酸鋰晶體z軸方向的X切Z傳鈮酸鋰晶體制備為襯底切片；S2、蒸發(fā)：在所述S1中的襯底切片上采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備緩沖層鈦作為掩模；S3、光導(dǎo)波刻；S4、PECVD：進(jìn)行鈦擴(kuò)散，將鈮酸鋰晶體放在濕氧的環(huán)境中進(jìn)行鈦擴(kuò)散以抑制LiO2外擴(kuò)發(fā)生，抑制LiNb3O8晶相生成，降低晶體光折變的敏感性；S5、光刻電極；S6、電鍍；S7、磨切；本電場傳感器探頭的制作工藝具有生產(chǎn)流程短，生產(chǎn)出的電場傳感器探頭具有可測動態(tài)范圍大、響應(yīng)速度快、頻率范圍寬、對電場畸變小、測量精度高、與一次設(shè)備無電氣連接、全絕緣等特點。