一種用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的硅薄膜異質(zhì)結(jié)太陽 電池的制備方法，襯底清洗：采用半導(dǎo)體清洗工藝進行襯底的 表面初清洗，再將襯底放在去離子水中用超聲波清洗，用去離 子水沖洗數(shù)次，氮氣吹干；制備本征非晶硅層：用熱絲化學(xué)汽 相沉積技術(shù)制備本征非晶硅層，鎢絲溫度用光學(xué)高溫計測量， 加熱器與樣品的溫度分別由兩個熱電偶測定，用電子溫度控制 器控制溫度，在襯底表面反應(yīng)生長而成薄膜；在本征非晶硅薄 膜上再沉積一層發(fā)射層；正、背面電極的形成：用濺射工藝在 電池的正、背面形成電極；最后進行真空熱退火工藝。本發(fā)明 薄膜具有光照穩(wěn)定性，在AM1.5， 100mW/cm2標準光強下，獲得的 硅薄膜的光電導(dǎo)增益可達106， 基于此薄膜的非晶硅和晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的效率達12.5％。