本發(fā)明屬于二維材料異質(zhì)結(jié)光探測領(lǐng)域，公開了一種二維硫化鉬/硫化銦橫向異質(zhì)結(jié)及其制備方法和應(yīng)用。該二維硫化鉬/硫化銦橫向異質(zhì)結(jié)是通過化學(xué)氣相沉積法先將二氧化硅片平放在三氧化鉬粉末的上方，置于管式爐的中間，將升華硫粉末放置在管式爐氣流上游；在氮氣氣氛下，升溫至680～800℃保溫，在二氧化硅襯底上制得單層二維硫化鉬單晶，通過濕法將單層二硫化鉬轉(zhuǎn)移至云母片上；然后將云母片平放在三硫化二銦粉末的上方，放置在管式爐中間；升溫至750～980℃保溫，自然冷卻制得。本發(fā)明方法簡單，反應(yīng)條件易于控制，生長的二維異質(zhì)結(jié)穩(wěn)定，該異質(zhì)結(jié)經(jīng)過光刻，顯影等步驟后，可成功在異質(zhì)結(jié)兩端搭建電極，具有良好的光探測應(yīng)用前景。