本發(fā)明涉及用于制造經(jīng)外延涂覆的半導(dǎo)體晶片的方法，其中制備多個至少在其正面上拋光的半導(dǎo)體晶片，并且均依次單獨通過化學(xué)氣相沉積法在外延反應(yīng)器內(nèi)于800至1200℃的溫度下將外延層施加到其經(jīng)拋光的正面上而通過以下步驟進(jìn)行涂覆：分別將一片所制備的半導(dǎo)體晶片支撐在根據(jù)本發(fā)明的裝置上，從而使該半導(dǎo)體晶片位于該環(huán)上，該半導(dǎo)體晶片的背面朝向具有透氣性結(jié)構(gòu)的基座的底部，但是不接觸該基座，從而通過氣體擴(kuò)散使氣態(tài)物質(zhì)從該半導(dǎo)體晶片的背面上方的區(qū)域透過該基座導(dǎo)入基座的背面上方的區(qū)域內(nèi)，此外該半導(dǎo)體晶片僅在其背面的邊緣區(qū)域內(nèi)與該環(huán)相接觸，其中在半導(dǎo)體晶片內(nèi)完全不會產(chǎn)生利用光彈性應(yīng)力測量法（“SIRD”）可測的應(yīng)力。