本發(fā)明公開(kāi)了一種制備一維ZnO納米棒晶薄膜 的電場(chǎng)輔助的方法，步驟依次為：將 Zn(NO3) 2·6H2O與NaOH 溶解于水中，攪拌均勻；置于30～90℃的水浴中；用三電極化 學(xué)沉積系統(tǒng)進(jìn)行恒電位沉積，以涂覆ZnO溶膠作為種底的導(dǎo)電 玻璃為陽(yáng)極，鉑片為對(duì)電極，飽和Ag/AgCl電極(vs Ag/AgClsat)為參比電極，在500 －1300mV的外加電壓下沉積；將襯底取出，清洗后，于烘箱 中干燥，獲得ZnO一維納米棒晶薄膜材料。本發(fā)明通過(guò)施加并 調(diào)節(jié)外電場(chǎng)的大小，有效控制了ZnO的生長(zhǎng)形態(tài)，提高了生長(zhǎng) 速度；本發(fā)明廣泛應(yīng)用在發(fā)光二極管、光探測(cè)器、光敏二極管、 氣敏傳感器、太陽(yáng)能電池等方面。