本發(fā)明公開了一種具有高遷移率的非金屬共摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜，該薄膜為生長(zhǎng)于柔性襯底上的ZnO基薄膜，其化學(xué)組成為Zn1-x-yAxByO，其中0< x≦0.50，0< y≦0.40, ?A為氟、氯、硫、硒中的一種，B為硼、氫中的一種，且A和B的原子比例滿足1< x : y≦10。制備該薄膜采用射頻磁控濺射法，通過(guò)結(jié)合氫等離子處理和真空熱退火的手段，從而制得導(dǎo)電性能良好的透明導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明制備的薄膜結(jié)晶性能好，薄膜生長(zhǎng)平整，光透過(guò)率在80%以上，電阻率可降至10-3數(shù)量級(jí)，方阻可達(dá)到81.9?？蓱?yīng)用在太陽(yáng)能電池前電極、薄膜晶體管、紫外探測(cè)器、透明顯示屏等領(lǐng)域。