本發(fā)明公開了核殼結(jié)構(gòu)ZnS@C@MoS2催化劑的制備方法及其應(yīng)用，本發(fā)明通過(guò)水熱法合成粒徑均一的ZnS納米球，然后采用自組裝法在ZnS納米球表面組裝一層PDA薄膜，再經(jīng)過(guò)高溫碳化，強(qiáng)酸刻蝕處理，最后通過(guò)一步水熱法在刻蝕的ZnS@C的表面原位生長(zhǎng)超薄的MoS2納米片，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明碳?xì)た梢詷O大地提高ZnS@C@MoS2的導(dǎo)電性，有效地防止MoS2納米片的聚集，二維超薄的MoS2納米片的結(jié)構(gòu)有利于最大限度暴露活性位點(diǎn)，縮短電荷的傳輸路徑，使ZnS@C@MoS2表現(xiàn)出優(yōu)異的電化學(xué)性能，且ZnS@C@MoS2在堿性電解液中測(cè)試12h時(shí)，保持率高達(dá)84％，說(shuō)明ZnS@C@MoS2具有優(yōu)異的穩(wěn)定性。