本發(fā)明提供一種改善層間介質(zhì)層研磨后返工工藝的方法，用于對層間介質(zhì)層研磨后的半導(dǎo)體襯底進行返工，所述層間介質(zhì)層被過量研磨，所述層間介質(zhì)層具有目標厚度，包括：測量所述層間介質(zhì)層的實際厚度；根據(jù)所述層間介質(zhì)層的實際厚度與所述層間介質(zhì)層的目標厚度的差異，獲得補償膜層的厚度，所述補償膜層用于覆蓋所述層間介質(zhì)層的表面；獲得覆蓋膜層的目標厚度，所述覆蓋膜用于覆蓋所述補償膜層的表面；根據(jù)所述補償膜層與所述覆蓋膜層的厚度之和，進行一次沉積工藝，形成所述補償膜層和覆蓋膜層。本發(fā)明減少了等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝給下方的層間介質(zhì)層帶來的損傷，減少了研磨誤差帶來的器件性能漂移。