本發(fā)明涉及利用FIB沉積納米錐形底電極從而制備硫系化合物存儲(chǔ)單元器件的方法，其 包括以下步驟：首先，在(100)取向的硅片上面，應(yīng)用化學(xué)氣相沉積的方法制備一層SixN介 質(zhì)層；然后使用磁控濺射的方法沉積Al/Ti/TiN作為底層電極材料；于底層電極材料上利用 離子束法沉積氧化硅作為介質(zhì)層；利用電子束曝光結(jié)合反應(yīng)離子刻蝕的方法制備若干氧化硅 孔；于氧化硅孔內(nèi)利用聚焦離子束系統(tǒng)制備所需要的錐形底電極；利用光刻剝離的方法于底 電極上沉積相變材料層；之后利用聚焦離子束引出上層測(cè)試電極；最后離子束沉積法濺射氧 化硅作為絕熱保護(hù)層。本發(fā)明有助于制備新型的低功耗相變存儲(chǔ)器，為研究20nm以下尺寸相 變存儲(chǔ)器的性能提供有效的方法，促進(jìn)相變存儲(chǔ)器的發(fā)展。