本發(fā)明公開了一種磁共振成像兼容的導(dǎo)電薄膜合金材料及其制備方法。本發(fā)明的導(dǎo)電薄膜合金材料是面向植入式醫(yī)療器械、神經(jīng)接口或腦機(jī)接口應(yīng)用，以一種順磁性物質(zhì)和一種抗磁性物質(zhì)為共濺射材料，通過磁控共濺射鍍膜的微納加工技術(shù)制備得到的薄膜合金材料。本發(fā)明利用磁控共濺射鍍膜的方法，分別優(yōu)化設(shè)定了順磁性物質(zhì)?抗磁性物質(zhì)的濺射電流強(qiáng)度、功率等參數(shù)以及特定的成膜氣壓來(lái)制備合金材料。從而確定了可應(yīng)用于植入器械的導(dǎo)電薄膜合金材料的磁控濺射制備條件，使其具有較好的導(dǎo)電與電化學(xué)性質(zhì)，并且在磁共振成像中不會(huì)造成影響觀測(cè)植入部位的成像偽影，具有良好的磁共振成像兼容性。