發(fā)明提供了一種導(dǎo)電高分子/硒化銻異質(zhì)結(jié)及其制備方法與光電應(yīng)用,屬于半導(dǎo)體納米材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以金屬鹽混合Sb2Se3作為前驅(qū)體,以云母或硅片作為載體,通過化學(xué)氣相沉淀法制備超薄Sb2Se3納米三角片;然后采用PMMA輔助轉(zhuǎn)移法將超薄Sb2Se3納米三角片轉(zhuǎn)移至襯底;最后使用標(biāo)準(zhǔn)旋涂法制備導(dǎo)電高分子/硒化銻異質(zhì)結(jié)。所述導(dǎo)電高分子/硒化銻異質(zhì)結(jié),借由導(dǎo)電高分子的可調(diào)節(jié)帶隙,可以獲得更高質(zhì)量的異質(zhì)結(jié)型光電探測器。
聲明:
“導(dǎo)電高分子/硒化銻異質(zhì)結(jié)及其制備方法與光電應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)