本發(fā)明公開(kāi)了抗壞血酸在增強(qiáng)N型半導(dǎo)體穩(wěn)定性中的應(yīng)用及一種增強(qiáng)N型半導(dǎo)體穩(wěn)定性的方法，屬于半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域。所述方法為在N型半導(dǎo)體器件表面構(gòu)筑抗壞血酸薄膜，所述抗壞血酸薄膜的制備方法為：將抗壞血酸溶液通過(guò)懸涂法、提拉法或滴注法均勻涂布在所述N型半導(dǎo)體器件表面，自然固化或者真空退火固化。所述抗壞血酸溶液中還加入聚氨酯溶液。該方法采用氧消除的策略，抗壞血酸可以清除已加入N型半導(dǎo)體中的氧，消除禁帶中的相關(guān)陷阱狀態(tài)，防止N型半導(dǎo)體的進(jìn)一步降解。利用本發(fā)明的方法所制備的N型半導(dǎo)體器件的遷移率等電學(xué)性能提升，操作穩(wěn)定性和長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)穩(wěn)定性均得到提高。