本發(fā)明揭示一種控制層間介電層膜厚的方法,其包括如下步驟:在半導(dǎo)體硅片上形成一層二氧化硅介電層,然后在二氧化硅介電層上形成一層拋光停止層,其中拋光停止層的材料為磷硅玻璃(PSG)或硼磷硅玻璃(BPSG),再在拋光停止層上形成一層二氧化硅介電層,然后通過化學(xué)機(jī)械拋光制程對(duì)介電層進(jìn)行研磨,本發(fā)明通過在介電層中間形成一層磷硅玻璃或硼磷硅玻璃的拋光停止層,由于該拋光停止層的硬度與介電層不同,采用終點(diǎn)電流信號(hào)偵測的方式拋光至該停止層時(shí)能自動(dòng)停止,拋光后的介電層的膜厚能夠得到準(zhǔn)確的控制。