本發(fā)明提供一種在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中消除凸點(diǎn)效應(yīng)的方法，該方法通過分別利用雙氧水和He等離子體清洗經(jīng)過化學(xué)機(jī)械研磨平坦化處理過的基片表面，以除去殘留的有機(jī)物和金屬微粒，然后依次在清洗過的基片表面形成金屬粘附層和超低k介電層，通過UV固化處理后形成多孔超低k介電層。利用掃描電鏡測(cè)試最終形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，證明了本發(fā)明的方法消除了傳統(tǒng)工藝中表面容易出現(xiàn)的凸點(diǎn)效應(yīng)，提高了半導(dǎo)體器件的良率。