本發(fā)明公開了一種超高密度單壁碳納米管水平陣列及其制備方法。該方法，包括如下步驟：在單晶生長基底上加載催化劑，退火后，在化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)中通入氫氣進(jìn)行所述催化劑的還原反應(yīng)，并保持氫氣的通入進(jìn)行單壁碳納米管的定向生長即得。該方法制備得到超高密度單壁碳納米管水平陣列的密度超過130根/微米，這是目前世界上已報道直接生長密度最高的單壁碳納米管水平陣列。對本發(fā)明制備的超高密度單壁碳納米管水平陣列進(jìn)行電學(xué)性能測試，其開電流密度達(dá)到380μA/μm，跨導(dǎo)達(dá)到102.5μS/μm，均是目前世界上碳納米管場效應(yīng)晶體管中的最高水平。