本發(fā)明公開了一種高質(zhì)量晶圓級硒氧化鉍半導體單晶薄膜的批量化制備方法。該方法包括：以含有Bi元素和Se元素的化合物為原料，以單晶晶圓為生長基底，進行化學氣相沉積，得到所述Bi2O2Se薄膜。本發(fā)明利用外延面對稱性一致的共格外延方式生長取向一致的單晶Bi2O2Se，通過延長生長時間，制備得到了由取向一致的單晶Bi2O2Se晶粒拼接而成的連續(xù)單晶薄膜。該方法工藝流程簡單，操作容易，成本低，薄膜尺寸大，并可有望應用于晶圓級Bi2O2Se單晶薄膜的批量化生產(chǎn)；為Bi2O2Se半導體薄膜在光電探測器或場效應晶體管等領域的應用奠定了基礎。