本發(fā)明公開(kāi)了一種二維硫化錸?硫化鉬垂直異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備方法，采用化學(xué)氣相沉積法，以Si/SiO2為襯底，金屬錸箔(Re)為錸源，金屬鉬箔(Mo)為鉬源，金屬錸箔平鋪在金屬鉬箔的一端表面上，襯底倒扣在金屬鉬箔上，與硫蒸氣反應(yīng)，在襯底上制備得到了以多層ReS2為底層、雙層MoS2為頂層的二維ReS2/MoS2垂直異質(zhì)結(jié)構(gòu)。所得二維ReS2/MoS2垂直異質(zhì)結(jié)材料，是由兩種不同尺寸的晶體堆疊而成的晶體，呈現(xiàn)出顯著的發(fā)光性質(zhì)，可作為晶體管的溝道材料應(yīng)用于超薄電子器件領(lǐng)域，在高效光探測(cè)器領(lǐng)域中有潛在的應(yīng)用。