本發(fā)明公開了一種SONOS器件中ONO結(jié)構(gòu)的制造方法，首先采用低壓氧化工藝在硅襯底上形成預(yù)設(shè)厚度的隧穿氧化層；接著對隧穿氧化層進(jìn)行摻氮，且摻氮濃度隨著隧穿氧化層的深度逐漸遞減；然后在隧穿氧化層的上方形成用于存儲電荷的氮化硅層；最后采用化學(xué)氣相沉積工藝形成阻擋氧化層。本發(fā)明在隧穿氧化層中，由于摻氮濃度隨著氧化層深度逐漸遞減，因此使得整體隧穿氧化層能級也呈平緩遞減，當(dāng)器件處在寫入狀態(tài)時，由于能帶在外電場下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而電子發(fā)生隧穿時通過的勢壘區(qū)仍與普通SONOS器件相同，從而保證了擦寫速度的要求。同時，在可靠性測試時，需要高溫進(jìn)行烘烤，由于梯度隧穿層的作用，電子逃逸更難以實現(xiàn)，從而保證了SONOS器件的數(shù)據(jù)保存能力。