一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，襯底包括PMOS晶體管區(qū)域；在襯底的PMOS晶體管區(qū)域上形成柵極、硬掩模；在柵極、以及硬掩模的表面形成第一側(cè)墻材料層，柵極表面的第一側(cè)墻材料層厚度大于硬掩模表面的第一側(cè)墻材料層；去除硬掩模表面的第一側(cè)墻材料層、以及柵極側(cè)壁上部分厚度的第一側(cè)墻材料層，殘留的第一側(cè)墻材料層構(gòu)成第一側(cè)墻；進(jìn)行濕式化學(xué)清洗；在硬掩模和第一側(cè)墻的周圍形成第二側(cè)墻；在PMOS晶體管區(qū)域中對應(yīng)源漏極的位置形成凹槽、以及位于凹槽內(nèi)的鍺硅層；至少去除部分厚度的硬掩模。本發(fā)明的技術(shù)方案解決了利用現(xiàn)有方法形成的半導(dǎo)體器件的電性能合格測試的結(jié)果不滿足要求的問題。