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含鉍氮化合物的半導(dǎo)體材料和制備方法及全波段光電器件

1365 編輯：管理員來源：中冶有色網(wǎng)

2023-03-19 08:57:00

本發(fā)明涉及含鉍氮化合物的半導(dǎo)體材料和制備方法及全波段光電器件，含鉍氮化合物的半導(dǎo)體材料組成通式為InN1?xBix，其中，0<x≤20％，薄膜材料能帶覆蓋0～0.7電子伏特；所述InN1?xBix材料具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)或纖鋅礦結(jié)構(gòu)；含有所述的含鉍氮化合物的半導(dǎo)體材料的薄膜材料、量子阱、量子點、超晶格、納米線或異質(zhì)結(jié)材料；所述InN1?xBix材料或者異質(zhì)結(jié)材料能夠?qū)崿F(xiàn)氮化物家族從紫外到太赫茲波段的全波段覆蓋，制備中紅外到太赫茲全波段激光器、探測器等光電器件；本發(fā)明的InN1?xBix材料可采用常規(guī)分子束外延、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積等多種方法進(jìn)行生長。

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“含鉍氮化合物的半導(dǎo)體材料和制備方法及全波段光電器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術(shù)所有人。

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