本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體氮化碳薄膜的制備及轉(zhuǎn)移方法，以三聚氰胺作為前驅(qū)體，通過(guò)化學(xué)氣相沉積工藝，在多種基底材料表面制備半導(dǎo)體氮化碳薄膜或氮化碳/碳復(fù)合薄膜，其制備工藝簡(jiǎn)單，原料成本低，制備的氮化碳薄膜容易轉(zhuǎn)移到任意基底材料表面；所制備的薄膜連續(xù)性好，厚度均勻，在光電探測(cè)器中顯示出極快的響應(yīng)速度，在電催化析氫反應(yīng)中顯示出較高催化活性；此外，這種氮化碳薄膜可用于構(gòu)建柔性半導(dǎo)體器件(如發(fā)光二極管，太陽(yáng)能電池)，儲(chǔ)能器件(如鋰離子電池，鈉離子電池，燃料電池)和催化電極等。