本發(fā)明涉及一種Sialon雙晶納米帶及其制備方法,其是將Si-Al-O-N-C粉末與碳粉壓制成圓環(huán)形預(yù)制塊,在高壓氮?dú)猸h(huán)境下,通過(guò)化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng),在圓環(huán)形預(yù)制塊周圍形成Sialon雙晶納米帶,其厚度為10-800nm,寬度為0.1-10μm,長(zhǎng)1-15mm。所得Sialon雙晶納米帶具有其他納米帶不具備的獨(dú)特性能和應(yīng)用前景,比如優(yōu)異的介電性能、導(dǎo)熱性和機(jī)械強(qiáng)度。由于其在生長(zhǎng)方向上具有獨(dú)特的雙晶結(jié)構(gòu),Sialon雙晶納米帶可用于光轉(zhuǎn)換,以及用于構(gòu)建納米光探測(cè)器件等。
聲明:
“Sialon雙晶納米帶及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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