本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：提供一前端結(jié)構(gòu)，所述前端結(jié)構(gòu)包括襯底，位于所述襯底上的字線，位于所述襯底上且分列于所述字線兩側(cè)的控制柵，位于所述控制柵上的字線側(cè)墻，所述字線側(cè)墻暴露出部分所述控制柵；以所述字線側(cè)墻為掩膜刻蝕所述控制柵；以及在暴露出的所述控制柵的側(cè)壁形成一保護(hù)層。本發(fā)明提供的通過(guò)在暴露出的控制柵的側(cè)壁形成一保護(hù)層，及時(shí)將控制柵暴露在空氣中的部分保護(hù)起來(lái)。避免了控制柵的側(cè)壁因長(zhǎng)時(shí)間暴露在空氣中而與控制柵刻蝕后產(chǎn)生化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，破壞控制柵結(jié)構(gòu)，進(jìn)而解決了半導(dǎo)體器件擦除失敗以及測(cè)試失敗的問(wèn)題，提高了半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。