本發(fā)明涉及無(wú)污染及無(wú)損傷檢測(cè)定形多晶硅體材料缺陷的方法,其中,將定形多晶硅體暴露于超聲波中,超聲波穿過(guò)定形多晶硅體后由超聲波接收器記錄下來(lái),從而檢測(cè)出定形多晶硅體內(nèi)的缺陷。
聲明:
“高純多晶硅的無(wú)損材料檢測(cè)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)