本發(fā)明公開了一種SiC雪崩光電二極管的無損缺陷檢測方法及裝置，利用位錯的發(fā)光規(guī)律，通過SiC雪崩光電二極管在雪崩擊穿下的發(fā)光圖像，辨別SiC雪崩光電二極管有源區(qū)內是否存在位錯缺陷，進行高質量SiC雪崩光電二極管篩選，是一種成本低、操作簡單的無損檢測方法。本發(fā)明與其他位錯檢測方法相比，所用設備(探針臺、源表、COMS相機)均為微電子器件研究的常用設備，系統搭建簡單、成本低、操作簡單。