一種在MOCVD中測量半導(dǎo)體薄膜雜質(zhì)電離能的無損測量方法，其是通過分析生長過程中薄膜材料光致發(fā)光譜譜峰強(qiáng)度隨溫度變化而變化的光學(xué)特征，計(jì)算獲得待測半導(dǎo)體薄膜的雜質(zhì)電離能，該測量方法包括如下步驟：在MOCVD裝置中安裝光致發(fā)光譜測試系統(tǒng)；該測試系統(tǒng)測量在不同溫度下測量薄膜材料的光致發(fā)光譜，并標(biāo)定和計(jì)算施主?受主峰的譜峰強(qiáng)度；擬合施主?受主峰譜峰強(qiáng)度?溫度關(guān)系實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，獲得薄膜材料雜質(zhì)電離能，包括施主雜質(zhì)電離能和受主雜質(zhì)電離能；重復(fù)步驟1?3，多次測量待測半導(dǎo)體薄膜雜質(zhì)電離能，采用最小二乘法，計(jì)算多次測量后的雜質(zhì)電離能。本發(fā)明是利用無損的光譜解析技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了MOCVD生長過程中對(duì)半導(dǎo)體薄膜雜質(zhì)電離能的實(shí)時(shí)測量，測試過程快速無損、精度高。