本發(fā)明公開了一種SiCMOSFET模塊內(nèi)部多芯片溫度分布均勻性的無損測試方法，在SiCMOSFET模塊柵極施加一個高柵壓，工作在盲區(qū)之上，分別施加小電流和長脈寬大電流，獲得小電流的溫度敏感參數(shù)和大電流含有自升溫的溫度敏感參數(shù)；通過反向逆推大電流含有自升溫的溫度敏感參數(shù)，獲得未產(chǎn)生自升溫的校溫曲線，結(jié)合小電流的校溫曲線，建立校溫曲線庫；基于校溫曲線庫，在小電流和長脈寬大電流下，測試升溫后模塊的兩個溫度值，計算二者溫度結(jié)果的差值；根據(jù)溫度差值的大小與參考溫度差值作比較，即可在不破壞模塊封裝的情況下判斷模塊內(nèi)部的溫度分布情況。本發(fā)明避免了在實際工況下，模塊內(nèi)部多芯片溫度分布不均勻、溫度差異大，導(dǎo)致個別芯片可靠性明顯降低的問題。