本發(fā)明涉及用于無損自規(guī)一化讀出MRAM存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元的一種方法和一種裝置。在此用存儲(chǔ)單元的與存儲(chǔ)器內(nèi)容無關(guān)的電阻值將讀出信號(hào)規(guī)一化。
聲明:
“無損讀出磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元的方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)